纳米数越小，CPU功耗通常越低，核心在于晶体管尺寸缩小使栅极电容减小、工作电压降低，从而减少动态功耗，并通过FinFET、高-k金属栅等技术抑制漏电流，结合架构优化与电源管理，实现能效提升。
从14nm到5nm制程的进步本质在于通过晶体管微缩、结构创新（如FinFET、GAA）和材料升级，实现晶体管密度提升、功耗降低、信号延迟减少及集成度提高，从而系统性优化芯片性能与能效。
沟道
